日前發表 2020 年首季初步財報，因受惠於記憶體業務的價格回溫與需求成長，讓初步營收報告符合市場預期的南韓三星，為保持記憶體產能的持續成長，因此透過使用製程技術的優化與進步，持續提升產能。
據南韓媒體《Business Korea》報導，2019 年三星花費 1.86 兆韓圜購買新晶圓，雖然較 2018 年花 1.66 兆韓圜提升，但 2019 年新晶圓價格較 2018 年成長 12%，所以比較兩年晶圓的投入量幾乎沒有變化。另一方面，三星 2019 年半導體產量為 8,890 億 Gb，較 2018 年 7,110 億 Gb 成長 39%，說明三星透過製程技術改進，而非設備擴建增加半導體供應和獲利能力收到成效。
報導指出，三星記憶體領域投資，2017 年達 27.35 兆韓圜高峰後，2018 年和 2019 年分別下降至 23.72 兆韓圜和 22.56 兆韓圜。只是相關投入金額雖然降低，但生產力顯著提高，原因就在三星優化與改進製程，以因應 2020 年市場需求與變化。
報導指出，三星在生產記憶體製程的微縮發展，DRAM 方面，現階段正努力將第一代 10 奈米（1x）製程轉換為第二代（1y）或第三代（1z）製程。隨著 DRAM 生產技術升級，單一晶圓生產的記憶體數量也增加 20%~30%。特別的是，採用（EUV）極紫外光刻設備大規模生產的第四代 10 奈米（1a）DRAMs 情況下，相較第一代 1x 製程技術來說，單一晶圓生產的記憶體數量有翻倍數量。
NAND Flash 快閃記憶體的發展，三星也在 2019 年成功量產第六代（1xx 層）NAND Flash 快閃記憶體。相較第五代（9x 層）產品，第六代（1xx 層）NAND Flash 快閃記憶體晶片尺寸更小，每片晶圓的生產量比第五代（9x 層）產品高約 20%。三星預測，NAND Flash 快閃記憶體的單位容量產能，2020 年也將提升 30%，NAND Flash 快閃記憶體出貨量預計也進一步增加。
報導引用南韓半導體市場專家說法表示，因三星有壓倒性的成本競爭力，所以對於競相進入產業的中國對半導體業者來說，預計大量金額投資之後，卻不容易收到市場成效。如中國記憶體大廠長江存儲近日宣佈，將在 2020 年量產 128 層 NAND Flash 快閃記憶體。雖然長江存儲的產品與三星相同，採用「雙堆疊」方式，將兩個 64 層 NAND Flash 快閃記憶體堆疊起來，相較三星是目前唯一一家有技術雙堆疊 90 層以上 NAND Flash 快閃記憶體的廠商，產品技術仍相對落後。
（首圖來源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0）
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April 27, 2020 at 11:37AM
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面對中國競爭對手緊追，三星藉提升製程技術維持記憶體產業優勢 - 科技新報 TechNews
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